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三极管和MOS管的几大区别

  1、工作性质:三极管电流控制,MOS管属于电压控制。


  2、成本问题:三极管便宜,MOS管昂贵。


  3、功耗:三极管损耗。


  4、驱动能力:常用于功率开关的MOS管和大电流局部开关电路


  晶体管更便宜,更容易使用。它们通常用于数字电路的开关控制。


  MOS晶体管用于高频和高速电路、大电流应用以及对基极或漏极控制电流敏感的区域。


  MOS晶体管不仅可以用作开关电路,还可以用作模拟放大器,因为在一定范围内栅极电压的变化会引起漏导电阻的变化。


  两者的主要区别在于双极晶体管是电流控制装置(较大的集电极电流由基座上的较小电流控制),MOS晶体管是电压控制装置(源漏导通电阻由栅极电压控制)。


  MOS晶体管(FET)具有低导通电阻,栅极驱动不需要电流,损耗低,驱动电路简单,具有保护二极管,良好的热阻特性,适合大功率并联,缺点是开关速度不高,比较昂贵。


  三极管的开关速度很高,大的晶体管IC可以做很多,缺点是损耗大,基极驱动电流大,驱动复杂。


  一般来说,对于低成本的应用,三极管在一般的应用中应该首先考虑。如果不是,应考虑MOS管。


  事实上,认识到当前的控制是缓慢的和电压控制是快速的是错误的。为了真正理解双极型晶体管和MOS晶体管的工作模式,大家可以理解。晶体管是由载流子的运动作用的。例如,NPN发射极跟随器,无论有没有施加到基极的电压,由基极区域和发射极区域组成的PN结都防止许多电子的扩散(基极区域是空穴,发射极区域是电子)。在PN结处,静电场(即内置电场)从发射极区域感应到基极区域。当基极施加的正电压指向基极区域,并且由基极施加的电压产生的电场大于内置电场时,基极区域中的载流子(电子)可以从基极区域流向发射区域。该电压的Z小值是pn结的正向导通电压(在工程中通常被认为是0.7V)。但是每个pn结两侧都会有电荷。如果集电极-发射极电压为正,则在电场的作用下,发射极区中的电子将向基区移动。因为基区宽度很小,电子可以很容易地穿过基区到集电极区,并且在这里PN上有空穴。为了维持平衡,在正电场的作用下,集电区内的电子加速外部集电体的移动,而空穴在PN结处移动,这与雪崩过程类似。集电极的电子通过功率源回到发射极,这是晶体管的工作原理。当晶体管工作时,两个pn结都会引起电荷。当开关接通时,晶体管饱和。如果晶体管被切断,由pn结引起的电荷将恢复平衡。这个过程需要时间。MOS晶体管以不同的方式工作,因此不能用作高速开关管。


  (1)场效应晶体管是电压控制元件,晶体管是电流控制元件。当从信号源允许更少的电流时,应当选择FET,当信号电压较低时,应当选择晶体管,并且当从信号源允许更多电流时,应当选择晶体管。


  (2)MOSFET使用大多数载流子导电,因此它们被称为单极器件,而晶体管仅使用少数载流子导电。它被称为双极器件。


  (3)一些FET的源极和漏极可以互换使用,栅极电压可以是正的或负的,并且柔性优于晶体管。


  (4)FET可以在非常低的电流和电压条件下工作,并且其制造工艺可以容易地将许多FET集成在单个硅片上,因此FET在大规模集成电路中得到了广泛的应用。


  (5)FET因其输入阻抗高、噪声低而广泛应用于各种电子器件中。特别是采用FET作为整个电子设备的输入级,可以得到普通晶体管无法达到的性能。


  (6)场效应晶体管主要分为两类:结型和绝缘栅型,控制原理相同。


  其他比较:


  1。三极管是一个双极管,即管的内部由两种载流子:空穴和自由电子参与。FET是单极管,也就是说,当管工作时,要么只有空穴,要么只有自由电子参与传导,只有一个载体。


  2和三极管属于电流控制装置,输入电流具有输出电流。场效应晶体管是一种无输入电流和输出电流的电压控制装置。


  3,晶体管的输入阻抗小,场效应晶体管的输入阻抗大。


  4、一些场效应晶体管的源极和漏极可以互换,三极管集电极和发射极不能互换。


  5,FET的频率特性不如三极管好。


  6。FET具有低噪声系数,适用于低噪声放大器的前置放大器级。


  7,如果信号电流较低,则应该选择FET。

  以上就是乐晨的小编带领大家人的三极管和MOS管之间的区别,你了解了吗?

  


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